Структура і ближній порядок рідкого галію: Fìz.-mat. model. ìnf. tehnol. 2017, 25:7-13 - Bilyk, Roman; Liudkevych, Uliana; Mudry, Stepan (ФІЗИКО-МАТЕМАТИЧНЕ МОДЕЛЮВАННЯ ТА ІНФОРМАЦІЙНІ ТЕХНОЛОГІЇ, 2018)
Була вивчена структура рідкого галію в широкому інтервалі температур. Аналіз даних, отриманих методом дифракції, дозволив зробити деякі висновки про структурні особливості рідкого галію. Зокрема, є чітка асиметрія першого максимуму структурного фактора та існування плеча на його правому боці. Також проаналізовано температурну залежність структурних факторів для рідкого Ga за його неоднорідною структурою. Інтерпретація проводилася за умови, що структура рідини Ga складається з кластерів з різним розподілом атомів, а також різних типів хімічних зв’язків між атомами. Структурні одиниці чутливі до температури. Також було виконано розщеплення основного максимуму структурног фактора на парціальні криві Гауса, що відповідали певним структурним одиницям розплаву. Кожен структурний компонент розплаву показує інший характер температурної залежності. Також передбачається, що парціальні піки для кожного кластера описуються гаусовими функціями.